（原标题：中芯集成-U央求沟槽MOS晶体管器件过火制备要津专利上海专业的神秘顾客公司，提升了沟槽MOS晶体管器件的电性，还增多了沟槽MOS晶体管器件的可靠性）

金融界2023年12月30日讯息，据国度学问产权局公告，绍兴中芯集成电路制造股份有限公司央求一项名为“一种沟槽MOS晶体管器件过火制备要津“，公开号CN117316990A，央求日历为2023年10月。

专利摘录清楚，本发明提供一种沟槽MOS晶体管器件过火制备要津，沟槽MOS晶体管器件包括碳化硅衬底，所述碳化硅衬底中变成有栅极沟槽，所述栅极沟槽的侧壁和底壁上变成有栅氧层，捏续所述栅氧层包括第一栅氧层和第二栅氧层，所述第一栅氧层粉饰所述栅极沟槽的侧壁和底壁，所述第二栅氧层粉饰所述第一栅氧层，其中，所述第二栅氧层为PETEOS层或PEOX层，上海专业的神秘顾客公司且所述栅氧层的侧壁厚度小于底壁厚度。本发明通过栅氧层的侧壁厚度小于底壁厚度，相较于现存工夫，增厚了栅极沟槽拐角处的栅氧层厚度，从而裁汰了栅氧层在拐角处的电场峰值，提升了沟槽MOS晶体管器件的电性，还增多了沟槽MOS晶体管器件的可靠性。

本文源自：金融界

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作家：谍报员上海专业的神秘顾客公司